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商品名稱(chēng):PMIC
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:DFN-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1500 件
SPD5118-Y1B000NCG8是一款專(zhuān)為 DDR5內(nèi)存模組設(shè)計(jì)的 串行檢測(cè)集線(xiàn)器 (SPD Hub)芯片,符合 JEDEC SPD5118標(biāo)準(zhǔn) ,主要用于內(nèi)存模組與系統(tǒng)主控設(shè)備之間的通信樞紐,同時(shí)集成溫度監(jiān)測(cè)功能以保障系統(tǒng)穩(wěn)定性。
關(guān)鍵特性
雙線(xiàn)可編程 I2C 或 I3C 總線(xiàn)串行接口
主機(jī)總線(xiàn)上的單個(gè)設(shè)備負(fù)載
高達(dá) 12.5MHz 的傳輸速率
1.8V電源輸入
VIO引腳1.0V VLDO輸出;可選配VIO引腳1.0V輸入電源
支持 1.0V、1.1V 和 1.2V 推挽式 IO 電平
支持 1.0V、1.1V、1.2V、1.8V、2.5V 和 3.3V 漏極開(kāi)路 IO 電平
16 塊非易失性存儲(chǔ)器 (NVM),每個(gè)塊 64 字節(jié)
具有 3 地址位轉(zhuǎn)換的集線(xiàn)器功能
集成溫度傳感器;0.5 °C 精度和 0.25 °C 分辨率
數(shù)據(jù)包錯(cuò)誤檢查 (PEC) 功能
奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤檢查功能
多達(dá) 8 個(gè)唯一尋址
可編程 I2C、I3C 總線(xiàn)尋址方案
帶內(nèi)中斷 (IBI)
每個(gè) NVM 塊的寫(xiě)保護(hù)
8引腳熱增強(qiáng)型DFN封裝
溫度:工業(yè)范圍為 -40 °C 至 125 °C
應(yīng)用場(chǎng)景
SPD5118-Y1B000NCG8適用于服務(wù)器、客戶(hù)端及工業(yè)領(lǐng)域內(nèi)存模組,包括 LRDIMM 、 UDIMM 、 SODIMM 等,提升系統(tǒng)數(shù)據(jù)傳輸效率與溫度控制精度。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠(chǎng)或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線(xiàn)品牌,其他渠道均為原廠(chǎng)及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動(dòng)通信、汽車(chē)電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場(chǎng)份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類(lèi)的夢(mèng)想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專(zhuān)業(yè)知識(shí),配合全球二萬(wàn)七千名員工的無(wú)限創(chuàng)…
R5F1026AASP
R5F1026AASP 是一款基于 RL78 內(nèi)核的 16 位微控制器,專(zhuān)為需要低功耗和高性能的嵌入式應(yīng)用設(shè)計(jì)。M38049FFLHP
M38049FFLHP是一款基于740系列內(nèi)核的8位CMOS微控制器,64引腳,采用LFQFP封裝 。RBN75H65T1FPQ-A0
RBN75H65T1FPQ-A0 650V、75A 溝槽絕緣柵雙極晶體管(IGBT)提供低集電極至發(fā)射極飽和電壓、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管(FRD),可用于電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用。M38049FFLKP
M38049FFLKP 是一款由瑞薩電子生產(chǎn)的 8 位微控制器,屬于 3804L 系列。TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。該晶體管結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下:晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置。…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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