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APT8M100B 是一款N溝道功率MOSFET，屬于 POWER MOS 8? 系列 。它以其高耐壓和大功率處理能力，常用于苛刻的電源應(yīng)用環(huán)境中。

APT8M100B 主要特性

高電壓：漏源電壓（Vdss）高達(dá) 1000V。

大電流：連續(xù)漏極電流（Id）為 8A。

低導(dǎo)通電阻：最大導(dǎo)通電阻（Rds(on)）為 0.065Ω。

高雪崩能力：100% 雪崩測試，確保在過載條件下的可靠性。

封裝類型：采用 TO-247-3 封裝。

APT8M100B 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品種類: MOSFET

封裝 / 箱體: TO-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.53 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 60 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 290 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: Power MOS 8

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